2N2907 Transistor
Progettato per l'alta velocità di commutazione e l'applicazione di uso generale.

2N3055 TRANSISTOR

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:60V

Typ Gain Bandwidth ft:2.5MHz

Max Current Ic Continuous a:15A

Tipo corpo:TO-3

2N3440 Transistor

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:250V

Typ Gain Bandwidth ft:15MHz

Av Current Ic:1 A

Tipo corpo:TO-39

2N3819 FET-N
Questo dispositivo è stato progettato per applicazioni RF e amplificatore mixer di esercizio fino a 450 MHz, e per la commutazione analogico che richiedono bassa capacità.

2N3866 Transistor NPN, 800MHZ, 30V, TO39

2N2907 Transistor
Progettato per l'alta velocità di commutazione e l'applicazione di uso generale.

2N3055 TRANSISTOR

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:60V

Typ Gain Bandwidth ft:2.5MHz

Max Current Ic Continuous a:15A

Tipo corpo:TO-3

2N3440 Transistor

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:250V

Typ Gain Bandwidth ft:15MHz

Av Current Ic:1 A

Tipo corpo:TO-39

2N3819 FET-N
Questo dispositivo è stato progettato per applicazioni RF e amplificatore mixer di esercizio fino a 450 MHz, e per la commutazione analogico che richiedono bassa capacità.

2N3866 Transistor NPN, 800MHZ, 30V, TO39